這是在P區(qū)(qū )和N區(qū)之(zhī )間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工(gōng )作頻率超(chāo )過100MHz時,由于(yú )少數(shù)載流(liú )子的存貯效應(yīng)和“本(běn )征”層中的渡越時間效應(yīng),其(qí )二極管失去整流作(zuò )用(yòng )而變成阻抗(kàng )元件,并且(qiě ),其阻抗值隨偏置電壓(yā )而改變。在零(líng )偏置或直流反向偏(piān )置時,“本征”區(qū)的(de )阻抗很高(gāo );在直流正向(xiàng )偏置(zhì )時,由于載流子注(zhù )入“本(běn )征”區(qū),而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻(zǔ )抗狀態(tài)。因此,可以把PIN二(èr )極管(guǎn )作為(wéi )可變阻(zǔ )抗元件使(shǐ )用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅(fú )等(děng )電(diàn )路(lù )中。
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